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    中文版 / ENGLISH
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    • PF-300T
    • PF-200T
    • NF-300H
    • 12英寸PECVD設備PF-300T

      產品介紹:


      PF-300T為拓荊承擔國家“十一五”重大專項,自主設計研發的產品系列。設備已用于40-28納米集成電路的生產,具有14納米及以下技術的延展性,可實現所有相關介質薄膜的沉積。同時已延伸至先進膜技術,產品涵蓋了高刻蝕選擇比的ACHM硬掩膜、低介電常數的絕緣薄膜及NDC刻蝕阻擋層、超低介電常數的ULK薄膜,可滿足客戶多種技術節點要求。


      產品特點:

      -可依客戶選擇配置1-3路液態源,實現多種先進工藝

      -具有優異的產能和CoO

      -可與8英寸兼容互相切換(PF-200T)

      -具備TSV所需的低溫(<200℃)TEOS SiO2工藝

      -通過S2安全認證和F47標準檢驗


    • 8英寸PECVD設備PF-200T

      產品介紹:

      PF-200T 是由我公司基于 PF 系列平臺,自主研發的 8 英寸 PECVD 設備,硬件結構以及系統穩定性和 PF-300T 保持一致,并已在國內各大企業經過嚴格的量產驗證。PF-200T 和國際同類型二手設備相比,具有產能高,維護費用低的優勢,還可為客戶提供完善的售后及工藝開發等服務。并可升級到 12英寸,或實現 8/12 英寸相互切換。設備另具有低溫 TEOS 的 SiO2工藝,適用于三維集成電路生產(3D IC)中的 TSV 工藝。



      產品特點:

      -按行業新標準,全新設計制造

      -采用行業現有標準零部件,降低維護成本

      -具有優異的產能和CoO

      -可搭載 1-3 個 PM

      -成熟的 SiO2,SiN,SiON 及 TEOS SiO2標準工藝

      -可配置 1-3 路液態源,實現摻雜工藝

      -具備 TSV 所需的低溫(<200℃)TEOS SiO2工藝

      -通過 S2 安全認證和 F47 標準檢驗




    • 12英寸3D-NAND

      產品介紹:

      NF-300H 設備由拓荊科技承擔了國家十三五重大專項,自主研發,是國產首臺應用于新一代三維閃存芯片(3D NAND)生產線上的疊層薄膜沉積設備,擁有自主知識產權。應用于128層及以上3D NAND閃存芯片的生產??蓪崿FSiO2、SiN(ONON)多層薄膜堆疊結構和Thick TEOS 薄膜,在均勻性、顆粒度、粗糙度、應力及產能等方面實現技術突破,設備性能指標達同類產品水平。


      產品特點:

      -高產能設計和可實現多種薄膜沉積的快速切換

      -可實現多層SiO2,SiN(ONON)堆疊功能

      -滿足300-600℃高溫沉積需求

      -PM腔內可進行多片wafer沉積和wafer自動升降旋轉功能

      -通過S2安全認證



    • 12英寸ALD設備FT-300T

      產品介紹:

      FT-300T系列是我公司自主研發的原子層沉積(Atomic Layer Deposition)設備,ALD反應腔搭載在高產能的PECVD平臺上,滿足了對設備產能的需求,現已應用于先進的芯片制造、OLED及先進封裝(TSV)領域,同時針對14nm以下前道工藝(FEOL)進行研制開發?,F可提供具有高質量的PEALD和Thermal ALD,如SiO2、SiN、Al2O3薄膜,并陸續開發金屬氧化物及金屬氮化物等薄膜工藝。


      產品特點:

      -ALD薄膜在高寬比(20:1)情況下臺階覆蓋率可達到95%

      -優異的生產成本(CoO)及性能指標

      -具有優異的均勻性和優異的保型性

      -可搭載1-3個PM

      -通過S2安全認證和F47標準檢驗



    • 12英寸/8寸SACVD設備

      產品介紹:

      SA-300T系列是我公司自主研發的次常壓化學氣相沉積(SACVD)設備,擁有自主知識產權。SACVD反應腔搭載在已通過量產驗證的高產能PECVD平臺上,充分實現設備對產能的需求。該設備主要應用在STI、PMD/ILD等,滿足Gap-fill的需求。


      產品特點:

      -高質量的TEOS SiO2和BPSG工藝

      -可依客戶選擇配置1-3路液態源,實現多種先進工藝

      -可與8英寸兼容互相切換(SA-200T)

      -可搭載1-3個PM

      -具有國際領先的產能和CoO

      -通過S2安全認證和F47標準檢驗



    • 技術服務及零部件
      客戶技術支持:


      - 在機臺設備保質期內,本公司將對非人為造成的軟、硬件上的問題為客戶提供及時的維修,以保證客戶工廠生產的正常進行。

      - 本公司在機臺設備保質期內提供給客戶充分的備用件,保質期后,客戶可以購買方式取得備用部件的補充。

      -依客戶所提需求,本公司的工程師保證于24小時內到達客戶現場給予支援。



    • 12英寸單腔PECVD設備

      產品介紹: 


      SC-300以12寸PECVD設備架構為基礎,專為LED生產線、高校、研究所及企業研發機構所設計研發,可做2-12英寸的工藝,可選TEOS等液態源配置,適用于半導體、MEMS、光伏,封裝等行業

    PF-300T

    產品介紹:

    產品介紹:


    PF-300T為拓荊承擔國家“十一五”重大專項,自主設計研發的產品系列。設備已用于40-28納米集成電路的生產,具有14納米及以下技術的延展性,可實現所有相關介質薄膜的沉積。同時已延伸至先進膜技術,產品涵蓋了高刻蝕選擇比的ACHM硬掩膜、低介電常數的絕緣薄膜及NDC刻蝕阻擋層、超低介電常數的ULK薄膜,可滿足客戶多種技術節點要求。


    產品特點:

    -可依客戶選擇配置1-3路液態源,實現多種先進工藝

    -具有優異的產能和CoO

    -可與8英寸兼容互相切換(PF-200T)

    -具備TSV所需的低溫(<200℃)TEOS SiO2工藝

    -通過S2安全認證和F47標準檢驗


    PF-200T

    產品介紹:

    產品介紹:

    PF-200T 是由我公司基于 PF 系列平臺,自主研發的 8 英寸 PECVD 設備,硬件結構以及系統穩定性和 PF-300T 保持一致,并已在國內各大企業經過嚴格的量產驗證。PF-200T 和國際同類型二手設備相比,具有產能高,維護費用低的優勢,還可為客戶提供完善的售后及工藝開發等服務。并可升級到 12英寸,或實現 8/12 英寸相互切換。設備另具有低溫 TEOS 的 SiO2工藝,適用于三維集成電路生產(3D IC)中的 TSV 工藝。



    產品特點:

    -按行業新標準,全新設計制造

    -采用行業現有標準零部件,降低維護成本

    -具有優異的產能和CoO

    -可搭載 1-3 個 PM

    -成熟的 SiO2,SiN,SiON 及 TEOS SiO2標準工藝

    -可配置 1-3 路液態源,實現摻雜工藝

    -具備 TSV 所需的低溫(<200℃)TEOS SiO2工藝

    -通過 S2 安全認證和 F47 標準檢驗




    NF-300H

    產品介紹:

    產品介紹:

    NF-300H 設備由拓荊科技承擔了國家十三五重大專項,自主研發,是國產首臺應用于新一代三維閃存芯片(3D NAND)生產線上的疊層薄膜沉積設備,擁有自主知識產權。應用于128層及以上3D NAND閃存芯片的生產??蓪崿FSiO2、SiN(ONON)多層薄膜堆疊結構和Thick TEOS 薄膜,在均勻性、顆粒度、粗糙度、應力及產能等方面實現技術突破,設備性能指標達同類產品水平。


    產品特點:

    -高產能設計和可實現多種薄膜沉積的快速切換

    -可實現多層SiO2,SiN(ONON)堆疊功能

    -滿足300-600℃高溫沉積需求

    -PM腔內可進行多片wafer沉積和wafer自動升降旋轉功能

    -通過S2安全認證



    FT-300T

    產品介紹:

    產品介紹:

    FT-300T系列是我公司自主研發的原子層沉積(Atomic Layer Deposition)設備,ALD反應腔搭載在高產能的PECVD平臺上,滿足了對設備產能的需求,現已應用于先進的芯片制造、OLED及先進封裝(TSV)領域,同時針對14nm以下前道工藝(FEOL)進行研制開發?,F可提供具有高質量的PEALD和Thermal ALD,如SiO2、SiN、Al2O3薄膜,并陸續開發金屬氧化物及金屬氮化物等薄膜工藝。


    產品特點:

    -ALD薄膜在高寬比(20:1)情況下臺階覆蓋率可達到95%

    -優異的生產成本(CoO)及性能指標

    -具有優異的均勻性和優異的保型性

    -可搭載1-3個PM

    -通過S2安全認證和F47標準檢驗



    SA-300T

    產品介紹:

    產品介紹:

    SA-300T系列是我公司自主研發的次常壓化學氣相沉積(SACVD)設備,擁有自主知識產權。SACVD反應腔搭載在已通過量產驗證的高產能PECVD平臺上,充分實現設備對產能的需求。該設備主要應用在STI、PMD/ILD等,滿足Gap-fill的需求。


    產品特點:

    -高質量的TEOS SiO2和BPSG工藝

    -可依客戶選擇配置1-3路液態源,實現多種先進工藝

    -可與8英寸兼容互相切換(SA-200T)

    -可搭載1-3個PM

    -具有國際領先的產能和CoO

    -通過S2安全認證和F47標準檢驗



    技術服務及零部件

    產品介紹:
    客戶技術支持:


    - 在機臺設備保質期內,本公司將對非人為造成的軟、硬件上的問題為客戶提供及時的維修,以保證客戶工廠生產的正常進行。

    - 本公司在機臺設備保質期內提供給客戶充分的備用件,保質期后,客戶可以購買方式取得備用部件的補充。

    -依客戶所提需求,本公司的工程師保證于24小時內到達客戶現場給予支援。



    SC-300

    產品介紹:

    產品介紹: 


    SC-300以12寸PECVD設備架構為基礎,專為LED生產線、高校、研究所及企業研發機構所設計研發,可做2-12英寸的工藝,可選TEOS等液態源配置,適用于半導體、MEMS、光伏,封裝等行業

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